试婚百天,校花想要倒追我!

第七十章 全世界不超过三个,叶羽就是其中之一(2/3)

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首发:~第七十章 全世界不超过三个,叶羽就是其中之一

说话间大家就进入了实验室。

此时从各地来的专家们都聚在一起时刻待命。

叶羽来到了一张办公桌前,从公文包里拿出了文件,道:“老师,苏院士,这些图纸就是3nm芯片的设计图。”

图纸铺开到了桌面上,周围的专家们都围了上来。

大家直接跳过了不重要的外形设计,直接去看栅极。

“嘶,垂直晶体管!?”

“我的天,我看到了什么!”

“这……这简直颠覆了芯片设计的观念啊!”

几个专家都露出惊愕的表情,他们都被叶羽这个大胆的想法所震惊!

就连苏成贵和顾援军都陷入了沉思。

现在所有芯片光刻的晶体管都是cmos管。

这种晶体管有三个重要的组成部分。

源极、栅极和漏极。

电流会从源极流入到漏极,栅极就是开关相当于一个闸门,通过控制高电压和低电压的转换来模拟出二进制的0和1。

说简单点,就是电子需要通过一个管道,栅极就是管道的阀门。

管道叫做导电沟道。

其实芯片在二十纳米左右的时候,栅极对导电沟道电流的控制能力,就已经大幅度减弱,甚至还会发生量子隧穿反应。

这是因为cmos管的栅极和导电沟道之间有一层二氧化硅的绝缘层。

随着芯片尺寸变小,这个绝缘层就会变薄。

所以电子有一定概率通过绝缘层,形成漏电流,最终导致耗电、发热以及工作频率下降、性能提升不大等问题。

叶羽的解决办法简直就是别出心裁!特别妙!

以前的源极和漏极是一个平面的二维结构,直接贴在导电沟道上。

而叶羽用的是3d的思路,把源极和栅极做成像鲨鱼鳍片“立”起来的样子,

直接让栅极把导电沟道给“包”起来,

这样就能在栅栏宽度不变的情况下,巧妙地增大接触面积。

从而提高栅极对电流的控制能力!

而且,缩短了导电沟道的长度!

可以容纳更多的晶体管!

这简直就是一举两得!

苏成贵忍不住惊叹:“援军,你这个学生,真是不得了。”

不得了。

仅仅三个字,就已经是苏成贵院士的第一个评价了!

而能得到这个评价的,全世界不超过三个!

第一个是向国华、第二个是顾援军、第三个便是叶羽!

这是什么概念?

第一个向国华,成院士了。

第二个顾援军,最年轻的院士。

现在是叶羽!

其他的专家都满脸羡慕的看了过来。

“小叶,你这个想法不得不说很大胆,你总是能打破思维固化。”

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